Thông tin lưu trữ trong bộ nhớ Flash trong những mảng của những ô nhớ được tạo nên từ những Transistor Floating-Gate . Những Transistor được chế tạo từ quy trình sản xuất nhỏ hơn sẽ làm cho những điện tử đi qua khó hơn . Trong một số trường hợp lỗi trong quá trình Ghi và ô nhớ sẽ được ECC (Error Correcting Code) điều chỉnh cho chính xác . Thông thường ECC được mạch điều khiển Flash xử lí . Nó có thể bị quá tải vì việc Ghi lỗi nhiều quá nên khiến cho hiệu suất làm việc bị chậm .
Intel cũng đã gặp phải vấn đề tương tự với bộ nhớ Flash 34nm và đã mất 06 tháng sau mới có thể đi vào sản xuất hàng loạt .
Samsung cho biết họ sẽ mất vài tháng để phát triển , sửa chữa trong mạch điều khiển và công nghệ Firmware cho những SSD dựa trên Chip Flash 32nm mới .