Giải pháp lưu trữ eUFS 3.0 của Samsung sẽ nhanh như những SSD NVMe và sẽ có mặt trong những thiết bị mobile siêu mỏng . Samsung đang cung cấp những model 128GB và 512GB , 256GB và 1TB dự kiến sẽ tới vào cuối năm nay .
Samsung hiện đang sản xuất đại trà những chip eUFS (embedded Universal Flash Storage) đầu tiên . Chuyển từ eUFS 2.1 sang eUFS 3.0 cho phép tốc độ Đọc nhanh gấp đôi và tốc độ Ghi nhanh gấp 1.6 lần .
eUFS 3.0 sẽ được sản xuất dựa trên những chip V-NAND 512Gb thế hệ thứ 5 , tốc độ Đọc tới 2100MB/s , tốc độ Ghi khoảng 410MB/s . Tốc độ Đọc ngẫn nhiên nhanh hơn 9% , tốc độ Ghi ngẫu nhiên nhanh hơn 36% so với chip eUFS 512GB được sản xuất năm 2017 . Việc đẩy hiệu suất làm việc nhanh gấp hai chỉ tỏng hai năm cho thấy Samsung đã đạt được những thành công to lớn
Cuối tháng này Samsung sẽ phát hành chip eUFS 3.0 có dung lượng 128GB và 512GB và nửa cuối năm này sẽ có dung lượng 256GB và 1TB . Khả năng Galaxy Note 10 sẽ trang bị lưu trữ eUFS 3.0 của Samsung .